2023届安徽省合肥市一六八中学高三最后一卷理科综合试卷
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1、27.(14分,除标注外每空2分E参考答案(1)将废料粉碎,搅拌,适当 升温等(1分,答案合理均给分(2)GaAs+llHN=Ga(N)3+8N0t t+H3As0,+4H,O(3)玻璃棒(1分);蒸发皿(1分)(4)Ga(OHOH二二Ga0;+2凡O;Fe(OH)34(70+75)10组(5)4s24p1(1分);4;H 3 lIAa E解析】(1)“酸浸”时,将废料粉碎,搅拌,提高固体接触面积,或适当升温等,都可以提高反应速率,提 升“酸浸”效率。(2)“酸浸”时,GaAs与浓硝酸发生氧化还原反应,硝酸被还原为二氧化氮,由题意可知 G坦的化合价始终为E三价,As的化合价由负三价 升高到正五
2、价,按守恒原理完成 方程式配平。由分析可知,通过蒸发浓缩,冷却结晶,过滤得到碑酸铺结晶水合物,该操作需要用到的草酸盐仪梯有玻璃棒,酒精灯,燕发皿,漏斗,烧杯。(4)由于Ga的性质“类铝”,可以写出“碱程”过程中发生的主要反应的离子方程式为Ga(OH),+oH二二GaOi-+2比0,滤渣E的主要成分 为Fe(OH)3.(S)Ga的价电子排布式为4s24旷,根据GaAs晶胞圄,可以看出距离As最近的 Ga原子数为 4个,根据晶胞密度公式可得晶胞密度为4(70十75)1021NAa3 28.(14分,每壁2分)E参考答案】O)Va2在酸性条件下易被氧化变质,盐酸过量会消耗步骤三中的NH,H马,降低原
3、料利用率(写出一种可能原因即可);2V20s+N2 H.2HC1+6HC1-4V:l2+N2+6H20(2)d-e-g-b-c(c可以不写)装置B中橙清石灰水变浑浊当滴人最后半滴Na.zSCJ.标准液时,锥形瓶内溶液紫色褪去且半分钟内不再改变 荔E E解析】(1)步骤一盐酸不宜过量,其一是因为voz在酸性条件下易被氧化变质;同时盐酸过量会消起步骤二中的NH,HCO.,从而降低原料利用率生成voe与的同时生成的无色无污染气体为陀,故该反应的化学方程式为2V20s+N2H,2HCl+6HC1=4VOC12+N2+6H,O.(2)为防止VOCl,被氧化,步骤二前应先排尽装置内空气,故接口顺序为a叶户
10.下列对文中画波浪线部分的断句,正确的一项是(3分)DA.隋炀帝初幸甘泉宫/泉石称意而怪/无萤火/敕云/捉取多少于宫中/照夜所司遽遣数千人采拾/送五百奥于宫侧/B.隋炀帝初幸甘泉宫/泉石称意/而怪无萤火/敕云/捉取多少于宫中/照夜所司遽遺数千人采拾/送五百舆于宫侧/C.隋炀帝初幸甘泉宫/泉石称意而怪/无萤火/敕云/捉取多少/于宫中照夜/所司遽遣数千人采拾/送五百奥于宫侧/D.隋炀帝初幸甘泉宫/泉石称意/而怪无萤火/敕云/捉取多少/于宫中照夜/所司遽遣数千人采拾/送五百舆于宫侧/
1、27.(14分,除标注外每空2分E参考答案(1)将废料粉碎,搅拌,适当 升温等(1分,答案合理均给分(2)GaAs+llHN=Ga(N)3+8N0t t+H3As0,+4H,O(3)玻璃棒(1分);蒸发皿(1分)(4)Ga(OHOH二二Ga0;+2凡O;Fe(OH)34(70+75)10组(5)4s24p1(1分);4;H 3 lIAa E解析】(1)“酸浸”时,将废料粉碎,搅拌,提高固体接触面积,或适当升温等,都可以提高反应速率,提 升“酸浸”效率。(2)“酸浸”时,GaAs与浓硝酸发生氧化还原反应,硝酸被还原为二氧化氮,由题意可知 G坦的化合价始终为E三价,As的化合价由负三价 升高到正五
2、价,按守恒原理完成 方程式配平。由分析可知,通过蒸发浓缩,冷却结晶,过滤得到碑酸铺结晶水合物,该操作需要用到的草酸盐仪梯有玻璃棒,酒精灯,燕发皿,漏斗,烧杯。(4)由于Ga的性质“类铝”,可以写出“碱程”过程中发生的主要反应的离子方程式为Ga(OH),+oH二二GaOi-+2比0,滤渣E的主要成分 为Fe(OH)3.(S)Ga的价电子排布式为4s24旷,根据GaAs晶胞圄,可以看出距离As最近的 Ga原子数为 4个,根据晶胞密度公式可得晶胞密度为4(70十75)1021NAa3 28.(14分,每壁2分)E参考答案】O)Va2在酸性条件下易被氧化变质,盐酸过量会消耗步骤三中的NH,H马,降低原
3、料利用率(写出一种可能原因即可);2V20s+N2 H.2HC1+6HC1-4V:l2+N2+6H20(2)d-e-g-b-c(c可以不写)装置B中橙清石灰水变浑浊当滴人最后半滴Na.zSCJ.标准液时,锥形瓶内溶液紫色褪去且半分钟内不再改变 荔E E解析】(1)步骤一盐酸不宜过量,其一是因为voz在酸性条件下易被氧化变质;同时盐酸过量会消起步骤二中的NH,HCO.,从而降低原料利用率生成voe与的同时生成的无色无污染气体为陀,故该反应的化学方程式为2V20s+N2H,2HCl+6HC1=4VOC12+N2+6H,O.(2)为防止VOCl,被氧化,步骤二前应先排尽装置内空气,故接口顺序为a叶户
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