2023年天津市部分区高三高考一模物理试卷

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1、c.D.若光线。、b照射同一光电管产生光电效应，光线。的遏止电压高以同一入射角从某种介质射入真空，若。光发生了全反射，则b光也一定发生了全反射 7.如图所示，一理想变压器原、副线圈的阻数比为2:1，原线圈输入的交变电压瞬时值的表达式u=2三0v空白n100刃（V），电阻箱R的初始值为20!,灯泡L阻值恒为20!lo下列说法正确的是A.副线圈输出电压的频率为50 Hz11 B.电流表示数为4A c.逐渐增大R的阻值，灯泡消耗的功率不断增大D.逐渐增大R的阻值，变压器的输出功率不断变小8.8超成像的基本原理是探头向人体发射一组超声波，遇到人体组织会产生不同程度的反射，探头接收到的超声波信号形成B超

2、图像。如图为血管探头沿x轴E方向发送的简诺超声波图像，t=O时刻波恰好传到质底M处。已知此超声波的频率为l106施，下列说法正确的是A.01.251-0-6 s内质点M运动的路程为2mmB.超声波在血管中传播速度为1.4102misc.t=l.5I0-6s时，质点N恰好处于波峰D.质点N起振时运动方向沿y轴正方向y/mmAOA nuov、，ra ov，、，I N牛vn。、，高三物理试卷第3页共8页ll.(16分如图所示，在匀强磁场中有一倾斜的平行金属导轨，导轨间的距离为L，长为3d，导轨平面与水平丽的夹角为0，在导轨的中部刷有一段长为d的薄绝缘涂层，匀强磁场的磁感应强度为B，方向与导轨平面垂直

3、。质量为m的导体棒从导轨的顶端由静止释放，在滑上绝缘涂层后做匀速运动，滑到导轨底端之前再一次做匀速运动。导体棒始终与导轨垂直，且仅与涂层间有摩擦，接在两导轨间的定值电阻和导体棒电阻均为R，导轨电阻不计，重力加速度为g，求：(1）导体棒与涂层间的动摩擦因数(2）导体棒滑到导轨底端之前匀速运动的速度大小：(3）导体棒从导轨的顶端滑到导轨底端的整个过程中，定值电阻上产生的焦耳热Q。高三物理一试卷第7页共8页*=草草案12.(18分）在芯片制造过程中，离子住入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后抽水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统

4、后注入处在水平面内的晶圆硅片。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直于纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直于纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和品的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔：偏转系统中电场和磁场的分布区域是棱长为L的正方体，其底面与晶圆所在水平面平行，间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注人到晶圆上的0点即图中坐标原点，x轴垂直纸面向外。整个系统置于真空中，不计离子重力及离子间的相互作用，打在晶圆上的离子，经过电场和磁场偏转的角度都很小。当很小时，有sin叩

5、叨 c1卡20求(1）通过磁分新器选择血来的离子的比荷：(2）偏转系统仅加电场时，离子在穿越偏转系统中沿电场方向偏转的距离：(3）偏转系统仅加磁场时，离子注入晶圆的位置坐标（X,y)（用长度R1、Ri及L表示）。偏转系统高三物理）试卷第8页（共8页天津市部分区2023年高三质量调查试卷物理参考答案1.B 2.C 3.D 4.C 5.A6.BC7.AD9.（每空2分）(1）iAC（只选一个给 1分0.49 Z(2）2.6103或2600（有估读的不给分）断开D10.解（1）设小球甲刚到最低点时速度为内，由机械能守恒，有z2何况2叫(3分2mv2 在最低点，有：FN-2mg一(3分川R解得FN=l

6、Omg(2分(2）甲和乙发生碰撞，动量守恒，有：8.AB，斗2mvo mv(Z-分上升过程中机械能守恒，有z3mv2=3mgh(2分解得h豆R9(2分11.(1）导体棒在绝缘层做匀速运动时，受重力，支持力和摩擦力，有zmg sin mg cos（2分解得tan(2分(2）导体棒滑到导轨底端之前做匀速运动时，受重力，支持力和安培力，有z关mg sin几（2分而几 BIL(1分高三物理）参考答案第1页共3页I主（1分2R E=BLv(1分解得V=2m；叭。分(3）导体棒从导轨的顶端滑到导轨底端的整个过程中，由能量守恒定律，有z吨川fmv2+2川mgd叫（3分m3g2R2 sin2 解得Q=mgd sin B-_,1_,(2分12.(1）离子通过速度选择器，有zqE=qvB(2分离子通过磁分析器，有z呐二号手津均生分分）RR也乓2一问2d R一REF而制(2）偏转系统仅加电场时，离子在偏转系统内做类平抛运动，有zL=vt(1分 x12(2分其中。旦旦（1分m 解得x主？(1分/(_I+/(_2(3）偏转系统仅加磁场时，离子运动轨迹如图所示，有高三物理）参考答案第2页共3页到tqvB 旦：（I

4.某种甲虫以土壤中的落叶为主要食物,假如没有这些甲虫,落叶层将严重堆积,最终导致落叶林生长不良。下列分析正确的是A.这种甲虫属于次级消费者B.这种甲虫与落叶树之间为寄生关系C.这种甲虫对落叶林的物质循环有促进作用D.这种甲虫在能量金字塔中位于底部

1、c.D.若光线。、b照射同一光电管产生光电效应，光线。的遏止电压高以同一入射角从某种介质射入真空，若。光发生了全反射，则b光也一定发生了全反射 7.如图所示，一理想变压器原、副线圈的阻数比为2:1，原线圈输入的交变电压瞬时值的表达式u=2三0v空白n100刃（V），电阻箱R的初始值为20!,灯泡L阻值恒为20!lo下列说法正确的是A.副线圈输出电压的频率为50 Hz11 B.电流表示数为4A c.逐渐增大R的阻值，灯泡消耗的功率不断增大D.逐渐增大R的阻值，变压器的输出功率不断变小8.8超成像的基本原理是探头向人体发射一组超声波，遇到人体组织会产生不同程度的反射，探头接收到的超声波信号形成B超

2、图像。如图为血管探头沿x轴E方向发送的简诺超声波图像，t=O时刻波恰好传到质底M处。已知此超声波的频率为l106施，下列说法正确的是A.01.251-0-6 s内质点M运动的路程为2mmB.超声波在血管中传播速度为1.4102misc.t=l.5I0-6s时，质点N恰好处于波峰D.质点N起振时运动方向沿y轴正方向y/mmAOA nuov、，ra ov，、，I N牛vn。、，高三物理试卷第3页共8页ll.(16分如图所示，在匀强磁场中有一倾斜的平行金属导轨，导轨间的距离为L，长为3d，导轨平面与水平丽的夹角为0，在导轨的中部刷有一段长为d的薄绝缘涂层，匀强磁场的磁感应强度为B，方向与导轨平面垂直

3、。质量为m的导体棒从导轨的顶端由静止释放，在滑上绝缘涂层后做匀速运动，滑到导轨底端之前再一次做匀速运动。导体棒始终与导轨垂直，且仅与涂层间有摩擦，接在两导轨间的定值电阻和导体棒电阻均为R，导轨电阻不计，重力加速度为g，求：(1）导体棒与涂层间的动摩擦因数(2）导体棒滑到导轨底端之前匀速运动的速度大小：(3）导体棒从导轨的顶端滑到导轨底端的整个过程中，定值电阻上产生的焦耳热Q。高三物理一试卷第7页共8页*=草草案12.(18分）在芯片制造过程中，离子住入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后抽水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统

4、后注入处在水平面内的晶圆硅片。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直于纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直于纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和品的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔：偏转系统中电场和磁场的分布区域是棱长为L的正方体，其底面与晶圆所在水平面平行，间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注人到晶圆上的0点即图中坐标原点，x轴垂直纸面向外。整个系统置于真空中，不计离子重力及离子间的相互作用，打在晶圆上的离子，经过电场和磁场偏转的角度都很小。当很小时，有sin叩

5、叨 c1卡20求(1）通过磁分新器选择血来的离子的比荷：(2）偏转系统仅加电场时，离子在穿越偏转系统中沿电场方向偏转的距离：(3）偏转系统仅加磁场时，离子注入晶圆的位置坐标（X,y)（用长度R1、Ri及L表示）。偏转系统高三物理）试卷第8页（共8页天津市部分区2023年高三质量调查试卷物理参考答案1.B 2.C 3.D 4.C 5.A6.BC7.AD9.（每空2分）(1）iAC（只选一个给 1分0.49 Z(2）2.6103或2600（有估读的不给分）断开D10.解（1）设小球甲刚到最低点时速度为内，由机械能守恒，有z2何况2叫(3分2mv2 在最低点，有：FN-2mg一(3分川R解得FN=l

6、Omg(2分(2）甲和乙发生碰撞，动量守恒，有：8.AB，斗2mvo mv(Z-分上升过程中机械能守恒，有z3mv2=3mgh(2分解得h豆R9(2分11.(1）导体棒在绝缘层做匀速运动时，受重力，支持力和摩擦力，有zmg sin mg cos（2分解得tan(2分(2）导体棒滑到导轨底端之前做匀速运动时，受重力，支持力和安培力，有z关mg sin几（2分而几 BIL(1分高三物理）参考答案第1页共3页I主（1分2R E=BLv(1分解得V=2m；叭。分(3）导体棒从导轨的顶端滑到导轨底端的整个过程中，由能量守恒定律，有z吨川fmv2+2川mgd叫（3分m3g2R2 sin2 解得Q=mgd sin B-_,1_,(2分12.(1）离子通过速度选择器，有zqE=qvB(2分离子通过磁分析器，有z呐二号手津均生分分）RR也乓2一问2d R一REF而制(2）偏转系统仅加电场时，离子在偏转系统内做类平抛运动，有zL=vt(1分 x12(2分其中。旦旦（1分m 解得x主？(1分/(_I+/(_2(3）偏转系统仅加磁场时，离子运动轨迹如图所示，有高三物理）参考答案第2页共3页到tqvB 旦：（I