【热荐】2024年黑龙江省普通高中学业水平选择性考试冲刺压轴卷(二)化学x试卷
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1、【热荐】2024年黑龙江省普通高中学业水平选择性考试冲刺压轴卷(二)化学x试卷选择部分
(2)装置工作(1)在该装置中,左侧Pt电极为(填“阴极”或“阳极”)。作时HCOO(2)装置工作时,阴极除有HCOO生成外,还可能生成副产物降低电解效率。已知:电解效率生≤一段时间内生成目标产物转移电子数率率一段时间内电解池转移电子总数①剧产物可能是(写出一种即可)。②标准状况下,当阳极生成氧气的体积为224mL时,测得整个阴极区内的c(HCOO)=0.017molL^-1,224mLc(HCOO^-)=0.017mol·L,电解效率为(忽略电解前后溶液的体积变化)。
2、【热荐】2024年黑龙江省普通高中学业水平选择性考试冲刺压轴卷(二)化学x试卷非选择题部分
A.Kn2(H3PO4)的数量级为10^-8B.Q、Q:和Q三点溶液中均存在:c(Na)-c(OH)2c(HPO)=c(H,PO.)+B.Q1、Q2Q3c(Na^+)-c(OH^-)-2c(HPO4^2-)=c(H2PO4^-)+3c(PO4^3-)-c(H^+)C.Na2HPO4溶液中:c(Na^+)=2c(H2PO4^-)+2c(PO4^3-)+2c(HPO4^2-)+2c(H3PO4)D.当pH=13时,c(Na^+)>c(PO4^3-)>c(OH^-)>c(HPO4^2-)
3、【热荐】2024年黑龙江省普通高中学业水平选择性考试冲刺压轴卷(二)化学x试卷实验题部分
13.砷化(如图甲)是一种立方晶系,将Mn掺杂到砷化镓晶体中得到稀磁性半导体材料(如图乙),砷化镓的晶胞参数为pm。下列说法错误的是甲乙A.砷化镓中As的配位数为4B.Ga和A之间的最近距离是C.沿体对角线方向的投影如图丙,若在11处,则As的位置为7.9、11、13D.将Mn掺杂到砷化镓晶体中,和Mn最近且等距离的As的数目为4a→b
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