2025届名校大联盟·高三月考卷(六)6x物理试卷答案

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2025届名校大联盟·高三月考卷(六)6x物理试卷答案试卷答案

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16.(10分)如图所示,劲度系数为k的轻质弹簧一端固定在竖直墙壁上,另一端与质量为m的不带电滑块B相连,此时弹簧恰好处于原长。另一质量为m、带电荷量为+q的滑块A静止在滑块B右侧且与B相距x0,处,滑块A、B与水平地面间的动摩擦因数均为,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力。已知弹簧的弹性势能Ep=12kx^2(x为弹簧的形变量)。现在整个空间加上一个水平向左的匀强电场,其电场强度E=2cmgq,已知A、B碰撞时间极短,且A与B碰撞后一起向左运动但不粘连,碰撞过程中电荷不发生转移,且A的带电荷量不变,重力加速度大小为g。求:(1)A与B发生碰撞瞬间的速度大小;(2)弹簧的最大压缩量xm,并讨论此时两滑块保持静止状态x0,所满足的条件。

一、2025届名校大联盟·高三月考卷(六)6x物理试卷答案第一部分

22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。

二、2025届名校大联盟·高三月考卷(六)6x物理试卷答案第二部分（待更新）

15.(16分)如图(a)所示,一长木板在光滑水平面上匀速滑动,t=0时在长木板右端轻放一质量m=1kg的小滑块,t=4s时滑块刚好滑到长木板的最左端.长木板和滑块运动的v-t图像如图(b)所示.重力加速度g取10m/s^2,,求:(1)滑块做加速运动的加速度大小a;(2)滑块与长木板间的动摩擦因数(3)长木板的质量M及长度L.s