重庆市高2025届高三第五次质量检测(2025.1)数学试题x

本文从以下几个角度介绍。

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5、重庆市高2025届高三第五次质量检测(2025.1)数学试题

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（3）水平传送带的速率v．
15．（16分）在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序．如图14所示是离子注入简化工作原理的示意图，一粒子源于A处不断释放质量为m，带电量为的离子，其初速度视为零，经电压为U的加速电场加速后，沿图中半径为的圆弧形虚线通过圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从P点沿直径PQ方向进入半径为的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直于纸面向外。经磁场偏转，离子最后垂直打在平行PQ放置且与PQ等高的硅片上，硅片到PQ的距离为．不计离子重力．求：
图14
（1）静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E；
（2）磁感应强度大小B；
（3）若加速电压和静电分析器中电场的大小可以调节，离子在静电分析器中仍沿虚线圆弧运动，要让从P点沿直径PQ方向进入圆形匀强磁场区域的离子全部打在硅片上，求加速电压的变化范围．（结果用U表示）
参考答案

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